TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE

EPC

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:eGaN®,FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):40V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:10A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:16 毫欧 @ 5A，5V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 2mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):2.48nC @ 5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):300pF @ 20V,功率 - 最大值:-,安装类型:表面贴装,封装/外壳:5-LGA,供应商器件封装:5-LGA（1.7x1.1）

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